近日，福建省福芯电子科技有限公司（以下简称福芯电子）总经理景苏鹏一行与闽都创新实验室氮化镓制备与应用团队到江西誉鸿锦芯片科技有限公司（以下简称誉鸿锦）进行参访交流活动。

福芯电子总经理景苏鹏一行、闽都创新实验室团队参观了誉鸿锦生产线，誉鸿锦董事长闫怀宝热情接待并亲自讲解了誉鸿锦关于氮化镓（GaN）系列材料的外延生长、电子器件和光电器件结构外延片、电子器件和光电器件芯片流片和模组、芯片和模组的封装等器件全产业链的研发生产情况。座谈会上，景苏鹏介绍了福芯电子近年来的发展情况，闽都创新实验室负责人介绍了实验室基本概况，希望下一阶段三方在第三代化合物半导体GaN的工艺发展及行业应用领域进行深入合作交流。

下一步，福芯电子将按照“集团IC设计服务平台”的发展定位，坚持创新引领发展，推动传统产品转型升级，积极布局第三代化合物半导体GaN应用领域。聚焦福建省产业内循环，以IC设计为着力点、方案服务为抓手，以开放式的平台模式与科研机构供应链资源进行创新合作，实现创新链全面赋能电子信息集团产业发展。

闽都创新实验室是中国福建光电信息科学与技术创新实验室，是首批四家福建省创新实验室之一，聚焦国家、福建和福州光电信息科技与产业发展重大战略需求。

江西誉鸿锦总投资50亿元，一期已投入9亿元，形成年产能4英寸60万片，年产值30亿人民币规模。二期投入41亿元，建成后将形成年产能4英寸300万片。主要产品有高性能肖特基二极管（SBD）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、射频/功率放大器（RF PA）、深紫外发光二极管（UVC-LED）等，这些产品广泛用于新能源汽车、数据中心、超算中心、5G通讯及杀菌消毒等领域。